STP2N95K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.73 грн |
50+ | 76.76 грн |
100+ | 68.79 грн |
500+ | 51.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2N95K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP2N95K5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
STP2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |