Технічний опис STP2NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP2NK100Z за ціною від 127.91 грн до 287.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP2NK100Z | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STP2NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 986 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.88 грн |
| 50+ | 141.13 грн |
| 100+ | 127.91 грн |
| STP2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)