STP2NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 7.4A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.28 грн |
| 25+ | 44.44 грн |
| 50+ | 39.96 грн |
| 100+ | 36.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP2NK100Z за ціною від 40.48 грн до 310.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 7.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Channel 1000V Zener SuperMESH |
товару немає в наявності |