STP2NK90Z STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 75.79 грн |
| 2000+ | 61.03 грн |
| 5000+ | 60.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2NK90Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm.
Інші пропозиції STP2NK90Z за ціною від 32.23 грн до 195.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 70W Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STP2NK90Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP2NK90Z | ST |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A STP2NK90Z TSTP2NK90Zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 75.79 грн |
| 2000+ | 61.03 грн |
| 5000+ | 60.41 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 114.95 грн |
| 132+ | 107.34 грн |
| 133+ | 106.27 грн |
| 500+ | 86.51 грн |
| 1000+ | 71.00 грн |
| 2000+ | 52.93 грн |
| 5000+ | 52.30 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 115.36 грн |
| 50+ | 107.73 грн |
| 100+ | 106.66 грн |
| 500+ | 86.82 грн |
| 1000+ | 71.26 грн |
| 2000+ | 53.13 грн |
| 5000+ | 52.49 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 182.93 грн |
| 10+ | 102.09 грн |
| 50+ | 83.68 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.52 грн |
| 10+ | 121.70 грн |
| 50+ | 92.87 грн |
| 100+ | 78.42 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






