STP2NK90Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 173.47 грн |
| 10+ | 93.96 грн |
| 50+ | 71.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2NK90Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP2NK90Z за ціною від 32.58 грн до 207.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP2NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP2NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP2NK90Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP2NK90Z | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A STP2NK90Z TSTP2NK90Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP2NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 50 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 485pF @ 25V, Qg, нКл = 27, Rds = 6.5, Ugs(th) = 30, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |