Продукція > STMICROELECTRONICS > STP30N10F7
STP30N10F7

STP30N10F7 STMICROELECTRONICS


Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP30N10F7 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STP30N10F7 за ціною від 53.65 грн до 168.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP30N10F7 STP30N10F7 STMicroelectronics dm00257208-1798948.pdf MOSFET N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ 32 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.57 грн
50+79.47 грн
100+71.38 грн
500+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7 dm00257208-1798948.pdf
STP30N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ 32 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.57 грн
50+79.47 грн
100+71.38 грн
500+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.