на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 536.43 грн |
| 10+ | 504.24 грн |
| 25+ | 258.22 грн |
| 100+ | 245.72 грн |
| 250+ | 244.98 грн |
| 500+ | 235.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP30N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP30N65M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
| STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
| STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
STP30N65M5 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |