на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.81 грн |
| 10+ | 525.44 грн |
| 25+ | 247.05 грн |
| 100+ | 244.08 грн |
| 250+ | 243.33 грн |
| 500+ | 238.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP30N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP30N65M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
| STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 13A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 139mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STP30N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 13A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 139mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |