STP30NF10


en.CD00002440.pdf
Код товару: 73219
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/40
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP30NF10 за ціною від 37.32 грн до 282.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.55 грн
161+87.92 грн
500+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.90 грн
10+95.55 грн
100+87.92 грн
500+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics STP30NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.24 грн
5+99.04 грн
10+77.88 грн
50+55.02 грн
100+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.12 грн
10+126.85 грн
50+96.88 грн
100+81.86 грн
500+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.86 грн
10+139.50 грн
100+117.52 грн
500+93.05 грн
1000+78.74 грн
2000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+282.52 грн
101+139.82 грн
120+117.80 грн
500+93.27 грн
1000+78.93 грн
2000+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 cd00002440.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+95.55 грн
161+87.92 грн
500+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 cd00002440.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+127.90 грн
10+95.55 грн
100+87.92 грн
500+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.24 грн
5+99.04 грн
10+77.88 грн
50+55.02 грн
100+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.12 грн
10+126.85 грн
50+96.88 грн
100+81.86 грн
500+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 cd00002440.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+281.86 грн
10+139.50 грн
100+117.52 грн
500+93.05 грн
1000+78.74 грн
2000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 cd00002440.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+282.52 грн
101+139.82 грн
120+117.80 грн
500+93.27 грн
1000+78.93 грн
2000+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NiMH 2000mAh, 1,2V, AA Panasonic, нікель-метал-гідридний акумулятор BK-3MCDE ENELOOP
Код товару: 197073
1 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Panasonic
Акумулятори > NiMH, NiCd, NiZn акумулятори
Технологія: NiMH
Типорозмір / габарити: AA
Ємність, мА·год: 2000 мА·год
Форма: циліндрична
Напруга, В: 1,2 В
у наявності: 17 шт
  • 17 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+235.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
11 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000444.pdf
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 2403 шт
  • 2256 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ST13007A (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 26412
6 Додати до обраних Обраний товар
ST13007.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 700 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 700 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 40
Монтаж: THT
у наявності: 297 шт
  • 209 шт - склад
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.50 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD140 (КТ814Г)
Код товару: 15292
2 Додати до обраних Обраний товар
BD136,138,140.pdf
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 160 МГц
Напруга Uке, В: 80 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 1,5 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 250
у наявності: 1278 шт
  • 1152 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 66 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 104 шт
  • 104 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2947
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 100 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 18x41 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 2 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.