STP315N10F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.78 грн |
| 10+ | 227.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP315N10F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STP315N10F7 за ціною від 138.46 грн до 386.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 315W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STP315N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET |
товару немає в наявності |