
STP31N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.37 грн |
10+ | 228.43 грн |
25+ | 187.60 грн |
100+ | 161.11 грн |
250+ | 151.55 грн |
500+ | 142.72 грн |
1000+ | 122.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP31N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP31N65M5 за ціною від 115.22 грн до 351.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STP31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |