STP32NM50N

STP32NM50N STMicroelectronics


en.DM00060101.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP32NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N CH 500V 22A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STP32NM50N за ціною від 294.30 грн до 573.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP32NM50N STP32NM50N Виробник : STMicroelectronics stb32nm50n-1850346.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.67 грн
10+524.97 грн
25+399.25 грн
100+372.09 грн
250+370.62 грн
500+327.32 грн
1000+294.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N STP32NM50N Виробник : STMicroelectronics dm0006010.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N STP32NM50N Виробник : STMicroelectronics dm0006010.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N Виробник : STMicroelectronics dm0006010.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N Виробник : STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N Виробник : STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.