Продукція > STMICROELECTRONICS > STP33N60DM2
STP33N60DM2

STP33N60DM2 STMicroelectronics

ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.18 грн
10+159.25 грн
100+133.93 грн
500+123.34 грн
1000+121.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP33N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP33N60DM2 за ціною від 114.39 грн до 315.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP33N60DM2 STP33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.92 грн
10+149.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 STP33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.48 грн
50+155.42 грн
100+150.94 грн
500+122.60 грн
1000+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 STP33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.31 грн
10+186.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 STP33N60DM2 Виробник : STMICROELECTRONICS 2309339.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.77 грн
10+188.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 STP33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 STP33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.