STP33N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 409.05 грн |
10+ | 263.77 грн |
100+ | 189.81 грн |
500+ | 148.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP33N60DM6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP33N60DM6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STP33N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STP33N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP33N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STP33N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 128mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP33N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP33N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 128mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |