STP33N60M2

STP33N60M2 STMicroelectronics


en.dm00078147.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+156.11 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP33N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP33N60M2 за ціною від 123.10 грн до 399.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP33N60M2 STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00078147.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+268.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.37 грн
50+166.31 грн
100+158.48 грн
500+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 STP33N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00078147.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.46 грн
10+377.98 грн
100+314.43 грн
500+232.97 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.97 грн
10+392.56 грн
25+179.51 грн
100+163.32 грн
500+135.37 грн
1000+131.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics 2178dm00078147.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00078147.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics 2178dm00078147.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.