STP33N60M6

STP33N60M6 STMICROELECTRONICS


SGST-S-A0005578558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.41 грн
10+162.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP33N60M6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP33N60M6 за ціною від 140.52 грн до 200.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP33N60M6 STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp33n60m6-1851622.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.84 грн
10+197.13 грн
25+169.94 грн
100+155.96 грн
250+155.23 грн
500+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00515213.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00515213.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00515213.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp33n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp33n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp33n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.