STP34NM60N STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 493.70 грн |
| 38+ | 379.37 грн |
| 100+ | 349.44 грн |
| 500+ | 314.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP34NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP34NM60N за ціною від 206.07 грн до 722.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP34NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP34NM60N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP34NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 500.94 грн |
| 10+ | 491.67 грн |
| 25+ | 377.81 грн |
| 100+ | 348.00 грн |
| 500+ | 313.11 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 713.65 грн |
| 50+ | 383.86 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 722.53 грн |
| 10+ | 470.72 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP34NM60N |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 206.07 грн |