Продукція > STMICROELECTRONICS > STP35N60M2-EP

STP35N60M2-EP STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	490.33 грн
100+	377.35 грн
500+	283.18 грн
1000+	206.77 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STP35N60M2-EP STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ M2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 190W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: THT, Gate charge: 41nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції STP35N60M2-EP

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STP35N60M2-EP	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STP35N60M2-EP	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STP35N60M2-EP	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STP35N60M2-EP	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V TO220 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STP35N60M2-EP	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.