
STP36N55M5 STMicroelectronics
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 164.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP36N55M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 33A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP36N55M5 за ціною від 260.33 грн до 533.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
|
STP36N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |