STP38N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP38N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції STP38N65M5 за ціною від 158.58 грн до 534.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP38N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |