Продукція > STP > STP3HNK90Z

STP3HNK90Z


ST%28F%2CP%293HNK90Z.pdf
Виробник:

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP3HNK90Z

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STP3HNK90Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP3HNK90Z Виробник : STM stp3hnk90z.pdf N-кан., 900V, 3.5 Ом, 3 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3HNK90Z STP3HNK90Z Виробник : STMicroelectronics ST%28F%2CP%293HNK90Z.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3HNK90Z STP3HNK90Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003451-1222825.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.