Технічний опис STP3HNK90Z
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP3HNK90Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STP3HNK90Z | Виробник : STM |
N-кан., 900V, 3.5 Ом, 3 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
STP3HNK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
|
STP3HNK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp |
товару немає в наявності |

