STP3N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.39 грн |
| 50+ | 70.64 грн |
| 100+ | 66.92 грн |
| 500+ | 50.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP3N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції STP3N80K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP3N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STP3N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STP3N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
STP3N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP3N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP3N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP3N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP3N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)