STP3N80K5

STP3N80K5 STMicroelectronics


en.DM00090304.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.86 грн
50+71.96 грн
100+68.17 грн
500+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP3N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA.

Інші пропозиції STP3N80K5 за ціною від 41.47 грн до 138.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP3N80K5 STP3N80K5 Виробник : STMicroelectronics std3n80k5-955671.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.23 грн
10+74.06 грн
100+58.48 грн
500+47.67 грн
1000+44.05 грн
2000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.