STP3N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.55 грн |
| 50+ | 72.86 грн |
| 100+ | 69.02 грн |
| 500+ | 51.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP3N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP3N80K5 за ціною від 43.67 грн до 172.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP3N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.6A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 9.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.6A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 9.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 |
товару немає в наявності |