Продукція > STMICROELECTRONICS > STP3N80K5
STP3N80K5

STP3N80K5 STMicroelectronics

en.DM00090304.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.79 грн
50+75.12 грн
100+71.16 грн
500+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP3N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP3N80K5 за ціною від 45.02 грн до 158.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP3N80K5 STP3N80K5 Виробник : STMicroelectronics std3n80k5-955671.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.08 грн
10+80.41 грн
100+63.49 грн
500+51.76 грн
1000+47.82 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5 STP3N80K5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371905.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.74 грн
11+83.61 грн
100+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5 STP3N80K5 Виробник : STMicroelectronics 12076030974746343.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5 STP3N80K5 Виробник : STMicroelectronics 12076030974746343.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5 STP3N80K5 Виробник : STMicroelectronics 12076030974746343.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5 Виробник : STMicroelectronics 12076030974746343.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.