
STP3NK50Z STMicroelectronics
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 74.24 грн |
10+ | 37.65 грн |
100+ | 29.43 грн |
500+ | 23.47 грн |
1000+ | 21.41 грн |
2000+ | 19.79 грн |
5000+ | 18.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP3NK50Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP3NK50Z за ціною від 18.89 грн до 88.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK50Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 9.2A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Pulsed drain current: 9.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STP3NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 9.2A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Pulsed drain current: 9.2A |
товару немає в наявності |