
STP3NK90Z STMicroelectronics
на замовлення 9150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 31.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP3NK90Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm.
Інші пропозиції STP3NK90Z за ціною від 38.54 грн до 219.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 14137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 14126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP3NK90Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP3NK90Z Код товару: 185207
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.89A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP3NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.89A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |