STP40N60M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 488.3 грн |
5+ | 420.15 грн |
10+ | 351.99 грн |
50+ | 303.9 грн |
100+ | 258.7 грн |
250+ | 251.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP40N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції STP40N60M2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STP40N60M2 Код товару: 171525 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
STP40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||
STP40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||
STP40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||
STP40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||
STP40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2 |
товар відсутній |