STP40N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP40N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP40N65M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP40N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
STP40N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Pulsed drain current: 128A Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ M2 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STP40N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP40N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STP40N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP40N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.