
STP40NF20 STMicroelectronics
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
697+ | 86.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP40NF20 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP40NF20 за ціною від 108.15 грн до 321.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3 Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP40NF20 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3 Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP40NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |