Технічний опис STP42N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP42N65M5 за ціною від 347.98 грн до 701.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP42N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 531.10 грн |
| STP42N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 532.79 грн |
| STP42N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 675.03 грн |
| 5+ | 591.16 грн |
| STP42N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 701.29 грн |
| 50+ | 376.73 грн |
| 100+ | 347.98 грн |
| STP42N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)