STP45N10F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 183.21 грн |
| 10+ | 89.13 грн |
| 100+ | 80.22 грн |
| 500+ | 65.52 грн |
| 1000+ | 52.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP45N10F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP45N10F7 за ціною від 45.83 грн до 188.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 45A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |