Продукція > STMICROELECTRONICS > STP45N60DM6
STP45N60DM6

STP45N60DM6 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B05B1A39A0D2&compId=stp45n60dm6.pdf?ci_sign=293345f05ff58c54529039e206c64f22a3c285d1 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.23 грн
3+318.03 грн
8+300.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP45N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP45N60DM6 за ціною від 219.97 грн до 528.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B05B1A39A0D2&compId=stp45n60dm6.pdf?ci_sign=293345f05ff58c54529039e206c64f22a3c285d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.87 грн
3+396.31 грн
8+360.48 грн
100+350.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stp45n60dm6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.71 грн
10+437.40 грн
25+248.66 грн
100+233.95 грн
250+222.91 грн
500+219.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00298498.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00298498.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00298498.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stp45n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.