Продукція > STMICROELECTRONICS > STP45N60DM6
STP45N60DM6

STP45N60DM6 STMicroelectronics

stp45n60dm6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.84 грн
10+340.65 грн
100+250.91 грн
500+223.73 грн
1000+200.03 грн
2000+199.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP45N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

Інші пропозиції STP45N60DM6 за ціною від 315.45 грн до 454.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stp45n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.45 грн
10+315.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stp45n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6 STP45N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stp45n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.