STP45N65M5

STP45N65M5 STMicroelectronics


11184dm00049184.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP45N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP45N65M5 за ціною від 262.44 грн до 637.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.2 грн
3+ 366.73 грн
7+ 346.66 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+528.85 грн
50+ 406.68 грн
100+ 363.87 грн
500+ 301.3 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb45n65m5-1850452.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+566.5 грн
10+ 530.14 грн
25+ 384.61 грн
100+ 347.41 грн
250+ 340.76 грн
500+ 306.22 грн
1000+ 263.71 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+569.69 грн
10+ 525.71 грн
25+ 450.87 грн
50+ 430.37 грн
100+ 365.84 грн
250+ 340.37 грн
500+ 262.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+609.84 грн
3+ 457 грн
7+ 415.99 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+613.78 грн
21+ 566.39 грн
25+ 485.76 грн
50+ 463.67 грн
100+ 394.14 грн
250+ 366.72 грн
500+ 282.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS48869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+637.11 грн
5+ 552.16 грн
10+ 466.47 грн
50+ 413.78 грн
100+ 364.06 грн
250+ 352.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP45N65M5
Код товару: 144919
en.DM00049184.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній