STP4LN80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.75 грн |
50+ | 76.10 грн |
100+ | 68.24 грн |
500+ | 51.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP4LN80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP4LN80K5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP4LN80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP4LN80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STP4LN80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STP4LN80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |