Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP4N150
- MOSFET, N, 1500V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:1500V
- Cont Current Id:4A
- On State Resistance:7ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:350mJ
- Current Iar:4A
- Max Voltage Vds:1500V
- Max Voltage Vgs th:5V
- Min Voltage Vgs th:3V
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulse Current Idm:12A
- Typ Capacitance Ciss:13000pF
- Transistor Case Style:TO-220
Інші пропозиції STP4N150 за ціною від 192.43 грн до 449.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP4N150 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
MOSFETs PowerMESH MOSFET |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP4N150 | ST |
N-MOSFET 4A 1500V 160W 7Ω STP40NF10 TSTP4N150кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 204.52 грн |
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 261.91 грн |
| 50+ | 259.84 грн |
| 100+ | 244.73 грн |
| 500+ | 219.21 грн |
| 1000+ | 197.23 грн |
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 263.40 грн |
| 55+ | 261.32 грн |
| 100+ | 246.12 грн |
| 500+ | 220.45 грн |
| 1000+ | 198.35 грн |
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 333.05 грн |
| 3+ | 291.85 грн |
| 5+ | 277.75 грн |
| 10+ | 251.22 грн |
| 25+ | 223.03 грн |
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 415.35 грн |
| 50+ | 210.70 грн |
| 100+ | 192.43 грн |
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs PowerMESH MOSFET
MOSFETs PowerMESH MOSFET
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







