Технічний опис STP4N150
- MOSFET, N, 1500V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:1500V
- Cont Current Id:4A
- On State Resistance:7ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:350mJ
- Current Iar:4A
- Max Voltage Vds:1500V
- Max Voltage Vgs th:5V
- Min Voltage Vgs th:3V
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulse Current Idm:12A
- Typ Capacitance Ciss:13000pF
- Transistor Case Style:TO-220
Інші пропозиції STP4N150 за ціною від 136.33 грн до 449.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP4N150 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| STP4N150 | Виробник : ST |
N-MOSFET 4A 1500V 160W 7Ω STP40NF10 TSTP4N150 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP4N150 | Виробник : STM |
N-Ch 1500V 4A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STP4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs PowerMESH MOSFET |
товару немає в наявності |