Технічний опис STP4N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm.
Інші пропозиції STP4N80K5 за ціною від 46.26 грн до 107.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP4N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP4N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP4N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm |
на замовлення 3232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STP4N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.26 грн |
| STP4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 107.54 грн |
| 177+ | 79.40 грн |
| 185+ | 76.18 грн |
| 500+ | 65.32 грн |
| 1000+ | 54.82 грн |
| 2000+ | 50.45 грн |
| STP4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 3232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





