STP4N80K5

STP4N80K5 STMicroelectronics


726326085587538dm00092669.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP4N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP4N80K5 за ціною від 44.91 грн до 183.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP4N80K5 STP4N80K5 Виробник : STMicroelectronics 726326085587538dm00092669.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+97.90 грн
177+72.27 грн
185+69.35 грн
500+59.46 грн
1000+49.91 грн
2000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5 STP4N80K5 Виробник : STMicroelectronics 726326085587538dm00092669.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.53 грн
10+106.05 грн
25+78.30 грн
100+72.44 грн
500+59.64 грн
1000+51.90 грн
2000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5 STP4N80K5 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00092669.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+177.33 грн
11+86.07 грн
100+79.08 грн
500+56.30 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5 STP4N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00092669.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.49 грн
10+86.03 грн
100+69.38 грн
500+58.36 грн
1000+50.46 грн
2000+46.70 грн
5000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5 STP4N80K5 Виробник : STMicroelectronics 726326085587538dm00092669.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5 Виробник : STMicroelectronics 726326085587538dm00092669.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5 STP4N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.