STP4N90K5

STP4N90K5 STMicroelectronics


stp4n90k5-1851421.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.61 грн
10+121.83 грн
100+97.11 грн
500+69.74 грн
1000+63.86 грн
2000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP4N90K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP4N90K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP4N90K5 STP4N90K5 Виробник : STMicroelectronics dm00339.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5 Виробник : STMicroelectronics dm00339.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00339915.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5 STP4N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00339915.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00339915.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
Technology: MDmesh™ K5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.