Інші пропозиції STP4NB100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STP4NB100 | Виробник : ST |
 08+ SOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STP4NB100 | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| STP4NB100 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальный ПТ ( 1000V - 4W - 3.8A)... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STP4NB100 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STP4NB100 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 4 Amp |
товару немає в наявності |