STP55NF06
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 31.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP55NF06 ST
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Інші пропозиції STP55NF06 за ціною від 31.52 грн до 217.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP55NF06 | ST |
 Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 12571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP55NF06 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp |
на замовлення 3704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP55NF-06 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| STP55NF06 |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP55NF06 |
|
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 31.52 грн |
| STP55NF06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 157+ | 90.70 грн |
| 158+ | 89.79 грн |
| 182+ | 78.11 грн |
| 500+ | 64.96 грн |
| 1000+ | 54.54 грн |
| 2000+ | 51.84 грн |
| 5000+ | 51.32 грн |
| STP55NF06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.15 грн |
| 50+ | 90.24 грн |
| 100+ | 78.50 грн |
| 500+ | 65.28 грн |
| 1000+ | 54.82 грн |
| 2000+ | 52.10 грн |
| 5000+ | 51.56 грн |
| STP55NF06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 146.76 грн |
| 10+ | 74.45 грн |
| 50+ | 55.51 грн |
| 100+ | 52.02 грн |
| 500+ | 44.71 грн |
| STP55NF06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 12571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.46 грн |
| 50+ | 103.76 грн |
| 100+ | 93.55 грн |
| 500+ | 71.00 грн |
| 1000+ | 65.60 грн |
| 2000+ | 61.06 грн |
| 5000+ | 55.23 грн |
| 10000+ | 54.89 грн |
| STP55NF06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP55NF06 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)