
STP55NF06FP STMicroelectronics
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 24.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP55NF06FP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP55NF06FP за ціною від 23.31 грн до 158.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP55NF06FP | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP55NF06FP Код товару: 121438
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |