Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP57N65M5

STP57N65M5

en.DM00049152.pdf
Код товару: 101868
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP57N65M5 за ціною від 284.00 грн до 936.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+453.25 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+454.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.93 грн
50+389.73 грн
100+359.69 грн
500+288.25 грн
1000+284.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+936.60 грн
27+533.86 грн
50+514.19 грн
100+457.90 грн
200+414.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 STP57N65M5 STMICROELECTRONICS en.DM00049152.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 en.dm00049152.pdf
STP57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+453.25 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 en.dm00049152.pdf
STP57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+454.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 en.DM00049152.pdf
STP57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+728.93 грн
50+389.73 грн
100+359.69 грн
500+288.25 грн
1000+284.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 en.dm00049152.pdf
STP57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+936.60 грн
27+533.86 грн
50+514.19 грн
100+457.90 грн
200+414.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 en.DM00049152.pdf
STP57N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP57N65M5 en.DM00049152.pdf
STP57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.