STP5N60M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.38 грн |
| 100+ | 43.31 грн |
| 500+ | 39.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP5N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP5N60M2 за ціною від 46.00 грн до 49.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||
| STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2 |
товару немає в наявності |
|||||
| STP5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |