Технічний опис STP5N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP5N60M2 за ціною від 56.51 грн до 56.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP5N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
STP5N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP5N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 249+ | 56.51 грн |
| STP5N60M2 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




