Продукція > STMICROELECTRONICS > STP5N80K5

STP5N80K5 STMicroelectronics

Name: STP5N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 6230142-3
Price: 447.99 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V

на замовлення 1245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	149.33 грн
50+	70.05 грн
100+	62.86 грн
500+	47.14 грн
1000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STP5N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP5N80K5

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STP5N80K5	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STP5N80K5	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package	на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STP5N80K5

SGST-S-A0002807712-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STP5N80K5

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.