STP5N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.58 грн |
| 10+ | 97.56 грн |
| 100+ | 76.65 грн |
| 250+ | 75.16 грн |
| 500+ | 60.65 грн |
| 1000+ | 54.84 грн |
| 2000+ | 51.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP5N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP5N80K5 за ціною від 54.78 грн до 192.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP5N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP5N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP5N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
STP5N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|