STP5N95K5

STP5N95K5 STMicroelectronics


stp5n95k5.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+98.32 грн
146+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP5N95K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP5N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 3.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP5N95K5 за ціною від 53.90 грн до 202.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP5N95K5 STP5N95K5 Виробник : STMicroelectronics stp5n95k5.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+105.71 грн
50+105.69 грн
100+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N95K5 STP5N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00084492.pdf MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.13 грн
10+80.02 грн
100+62.33 грн
500+53.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N95K5 STP5N95K5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002859369-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP5N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 3.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.65 грн
10+87.04 грн
100+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N95K5 STP5N95K5 Виробник : STMicroelectronics stp5n95k5.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+202.20 грн
134+96.37 грн
137+94.65 грн
500+83.80 грн
1000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N95K5 STP5N95K5 Виробник : STMicroelectronics stp5n95k5.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N95K5 STP5N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00084492.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00084492.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 2.2A; Idm: 14A
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 950V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.