STP5NK52ZD STMicroelectronics
на замовлення 130225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP5NK52ZD STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP5NK52ZD за ціною від 28.38 грн до 121.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP5NK52ZD | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 520V; 2.7A; Idm: 17.6A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 520V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 16.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP5NK52ZD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 520V; 2.7A; Idm: 17.6A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 520V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 16.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP5NK52ZD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP5NK52ZD | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N Ch 520V Zener SuperMESH |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP5NK52ZD | Виробник : ST |
N-MOSFET 520V 4.4A 1.5Ω 70W STP5NK52ZD STMicroelectronics TSTP5NK52zd кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STP5NK52ZD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |