STP5NK60Z STMicroelectronics
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 51.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP5NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP5NK60Z за ціною від 33.79 грн до 234.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP5NK60Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP5NK60Z |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STP5NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |