Технічний опис STP5NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP5NK60Z за ціною від 56.38 грн до 94.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A Gate charge: 34nC |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STP5NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| STP5NK60Z |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP5NK60Z | ST |
N-MOSFET 4.4A 600V 25W 1.22Ω STP5NK60Z TSTP5NK60Z |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 64.92 грн |
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 34nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 34nC
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 94.65 грн |
| 10+ | 64.67 грн |
| 50+ | 60.53 грн |
| 100+ | 56.38 грн |
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)