STP5NK60Z

STP5NK60Z STMicroelectronics


en.cd00003042.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP5NK60Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP5NK60Z за ціною від 56.00 грн до 232.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP5NK60Z STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00003042.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z STP5NK60Z Виробник : STMICROELECTRONICS 2307868.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.18 грн
10+99.03 грн
100+94.91 грн
500+68.97 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.60 грн
10+100.68 грн
100+83.87 грн
500+73.42 грн
1000+66.58 грн
2000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z en.CD00003042.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00003042.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00003042.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00003042.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.