на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 48.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP5NK80Z ST
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm.
Інші пропозиції STP5NK80Z за ціною від 66.57 грн до 219.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 258 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH |
на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 102.06 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 102.06 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 149.60 грн |
| 50+ | 147.62 грн |
| 100+ | 132.22 грн |
| 500+ | 104.64 грн |
| 1000+ | 85.43 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 150.26 грн |
| 96+ | 148.28 грн |
| 107+ | 132.81 грн |
| 500+ | 105.11 грн |
| 1000+ | 85.81 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 204.91 грн |
| 10+ | 130.71 грн |
| 25+ | 109.20 грн |
| 40+ | 100.10 грн |
| 50+ | 95.96 грн |
| 100+ | 86.04 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.58 грн |
| 50+ | 105.16 грн |
| 100+ | 94.85 грн |
| 500+ | 72.03 грн |
| 1000+ | 66.57 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






