Продукція > ST > STP5NK80Z

STP5NK80Z

en.CD00003038.pdf
Виробник: ST
N-MOSEFT 4,3A 800V 30W STP5NK80Z TSTP5NK80Z
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP5NK80Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - MOSFET, N-KANAL, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP5NK80Z за ціною від 85.55 грн до 264.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.77 грн
114+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics STP5NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.65 грн
10+121.88 грн
25+101.98 грн
40+93.69 грн
50+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.CD00003038.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
50+94.86 грн
100+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.32 грн
10+139.21 грн
100+125.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.CD00003038.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS18264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - MOSFET, N-KANAL, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z cd0000303.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z cd0000303.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z cd0000303.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+138.77 грн
114+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z STP5NK80Z.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.65 грн
10+121.88 грн
25+101.98 грн
40+93.69 грн
50+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z en.CD00003038.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
50+94.86 грн
100+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z cd0000303.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+264.32 грн
10+139.21 грн
100+125.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z en.CD00003038.pdf
STP5NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK80Z SGSTS18264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - MOSFET, N-KANAL, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.