STP60N043DM9 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 585.85 грн |
| 5+ | 582.45 грн |
| 10+ | 579.05 грн |
| 50+ | 534.53 грн |
| 100+ | 490.50 грн |
| 250+ | 485.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP60N043DM9 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP60N043DM9 за ціною від 347.91 грн до 821.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |