STP60N043DM9 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 680.51 грн |
| 50+ | 541.22 грн |
| 100+ | 507.70 грн |
| 500+ | 441.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP60N043DM9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP60N043DM9 за ціною від 367.35 грн до 868.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP60N043DM9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |