STP60NF06

STP60NF06

Код товару: 2993
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT

STP60NF06.pdf
в наявності: 67 шт
очікується: 100 шт
1+ 46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн

Технічний опис STP60NF06

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:60A
  • On State Resistance:0.016ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Device Marking:STP60NF06
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.016ohm
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:240A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:60V
  • Transistor Case Style:TO-220

Можливі заміни

STP60NF06L
STP60NF06L
Код товару: 105102
Виробник: ST
Транзистори - Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
stp60nf06l.pdf
16 шт - склад Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+ 60.5 грн
10+ 54.5 грн

Ціна STP60NF06 від 37.8 грн до 118.54 грн

STP60NF06
Виробник: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012? Trans. STP60NF06 TO220 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
на замовлення 500 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+ 45.76 грн
STP60NF06
Виробник: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012? Trans. STP60NF06 TO220 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
на замовлення 50 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+ 45.76 грн
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
на замовлення 689620 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
10+ 59.93 грн
11+ 56.99 грн
100+ 52.79 грн
500+ 45.27 грн
1000+ 40.75 грн
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
на замовлення 1432 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
10+ 60.25 грн
100+ 55.58 грн
500+ 47.38 грн
1000+ 42.59 грн
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
на замовлення 49288 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
5+ 118.54 грн
10+ 104.12 грн
100+ 86.97 грн
500+ 65.6 грн
1000+ 57.51 грн
STP60NF06
Виробник:

en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
на замовлення 1 шт
термін постачання 2-3 дні (днів)
STP60NF06
Виробник:
STP60NF06 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Material: STP60NF06 THT N channel transistors
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics [EC]
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220AB
Package / Case: TO-220-3
en.CD00002318.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
stp60nf06-1851601.pdf
на замовлення 1982 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
STP60NF06
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
en.CD00002318.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
en.CD00002318.pdf
на замовлення 37 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
STP60NF06
STP60NF06
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
SGSTS31362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
cd0000231.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
cd0000231.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Material: STP60NF06 THT N channel transistors
en.CD00002318.pdf en.CD00002318.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик

З цим товаром купують

STP11NK40Z
Код товару: 1022
техническая информация STP11NK40Z.pdf
STP11NK40Z
Виробник: ST
Транзистори - Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 930/32
Монтаж: THT
610 шт - склад Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 980 шт - ціна та термін постачання
1+ 39 грн
10+ 34.7 грн
100+ 30.7 грн
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2568
EXR_080421.pdf
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори - Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Опис: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
1841 шт - склад Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1000 шт - очікується 20.08.2022
1+ 13 грн
10+ 10.9 грн
100+ 9.8 грн
1000+ 9 грн
IRF9540NPBF
Код товару: 31944
irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: IR
Транзистори - Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
600 шт - очікується 09.09.2022
на замовлення 7436 шт - ціна та термін постачання
2SC5198 + 2SA1941 пара (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36709
2sc5198_2sa194.pdf
2SC5198 + 2SA1941 пара (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Toshiba
Транзистори - Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 140 V
Ic,A: 10 А
h21: 160
Примітка: Пара
Монтаж: THT
5 шт - склад Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - очікується 18.08.2022
1+ 82.5 грн
10+ 74.8 грн