
STP60NF10 STMicroelectronics
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 41.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP60NF10 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP60NF10 за ціною від 50.46 грн до 256.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 10600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STP60NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |