STP60NF10 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 60.29 грн |
| 2000+ | 60.02 грн |
| 5000+ | 58.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP60NF10 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP60NF10 за ціною від 53.87 грн до 211.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP60NF10 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP60NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Mounting: THT On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: STripFET™ II Drain current: 66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-3 |
на замовлення 359 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP60NF10 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP60NF10 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp |
на замовлення 832 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP60NF10 | ST |
N-MOSFET 60A 100V 150W 0.024Ω Replacement: STP50NE08, STP50NF08 STP60NF10 TSTP60NF10 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP60NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 60.41 грн |
| 2000+ | 60.13 грн |
| 5000+ | 58.78 грн |
| STP60NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Mounting: THT
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Mounting: THT
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 184.38 грн |
| 5+ | 133.16 грн |
| 10+ | 118.28 грн |
| 50+ | 86.85 грн |
| 100+ | 76.09 грн |
| STP60NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.35 грн |
| 10+ | 122.45 грн |
| 50+ | 93.59 грн |
| 100+ | 79.08 грн |
| STP60NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.21 грн |
| 10+ | 106.20 грн |
| 100+ | 79.16 грн |
| 500+ | 66.18 грн |
| 1000+ | 59.22 грн |
| 2000+ | 56.00 грн |
| 5000+ | 53.87 грн |