STP65N045M9 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 533.99 грн |
| 50+ | 420.21 грн |
| 100+ | 406.74 грн |
| 500+ | 334.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP65N045M9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M9 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP65N045M9 за ціною від 384.76 грн до 1013.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP65N045M9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M9 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 35A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 35A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 245W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 35A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 35A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 245W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |