STP65N045M9 STMicroelectronics
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 816.04 грн |
| 10+ | 689.03 грн |
| 25+ | 543.36 грн |
| 100+ | 498.86 грн |
| 250+ | 470.29 грн |
| 500+ | 451.7 грн |
| 1000+ | 383.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP65N045M9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M9 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STP65N045M9 за ціною від 719.83 грн до 830.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP65N045M9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M9 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 35A; Idm: 170A Case: TO220-3 Gate charge: 80nC Mounting: THT Technology: MDmesh™ M9 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 245W Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Drain current: 35A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
 |
STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||
| STP65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 35A; Idm: 170A Case: TO220-3 Gate charge: 80nC Mounting: THT Technology: MDmesh™ M9 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 245W Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Drain current: 35A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube |
товар відсутній |