Продукція > STMICROELECTRONICS > STP65N150M9
STP65N150M9

STP65N150M9 STMICROELECTRONICS

3850756.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.20 грн
10+179.48 грн
100+164.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP65N150M9 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP65N150M9 за ціною від 127.70 грн до 357.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP65N150M9 STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.37 грн
50+174.67 грн
100+167.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9-3048832.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.90 грн
10+334.22 грн
25+170.27 грн
100+156.32 грн
500+131.37 грн
1000+127.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+135.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+144.87 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf STP65N150M9 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.