Продукція > STMICROELECTRONICS > STP65N150M9
STP65N150M9

STP65N150M9 STMicroelectronics

stp65n150m9.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.35 грн
10+201.03 грн
100+130.73 грн
500+117.05 грн
1000+98.81 грн
2000+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP65N150M9 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP65N150M9 за ціною від 146.62 грн до 362.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP65N150M9 STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.04 грн
50+175.02 грн
100+163.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 STP65N150M9 Виробник : STMICROELECTRONICS stp65n150m9.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.36 грн
10+300.12 грн
100+190.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+146.62 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9 Виробник : STMicroelectronics stp65n150m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.