STP65N150M9 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 325.70 грн |
| 50+ | 173.76 грн |
| 100+ | 162.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP65N150M9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP65N150M9 за ціною від 124.51 грн до 359.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP65N150M9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |