STP65N150M9 STMicroelectronics
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 279.76 грн |
| 10+ | 231.46 грн |
| 25+ | 189.98 грн |
| 100+ | 163.41 грн |
| 250+ | 154.11 грн |
| 500+ | 145.47 грн |
| 1000+ | 122.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP65N150M9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STP65N150M9 за ціною від 125.54 грн до 301.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP65N150M9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics NV |
N-Channel 650 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 32nC Mounting: THT Technology: MDmesh™ M9 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| STP65N150M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 32nC Mounting: THT Technology: MDmesh™ M9 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube |
товар відсутній |