
STP65NF06 STMicroelectronics
на замовлення 20499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 38.84 грн |
17+ | 36.74 грн |
25+ | 26.02 грн |
100+ | 24.84 грн |
500+ | 22.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP65NF06 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP65NF06 за ціною від 26.55 грн до 44.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 20488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
STP65NF06 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
STP65NF06 Код товару: 54280
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 14 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/75 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STP65NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |