STP6N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.96 грн |
| 10+ | 63.66 грн |
| 14+ | 57.43 грн |
| 39+ | 53.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP6N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm.
Інші пропозиції STP6N60M2 за ціною від 38.99 грн до 115.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 2.9A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP6N60M2 Код товару: 94670 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
STP6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STP6N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STP6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STP6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
товар відсутній |