Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP6N60M2
STP6N60M2

STP6N60M2

en.DM00087510.pdf
Код товару: 94670
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP6N60M2 за ціною від 85.57 грн до 127.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP6N60M2 STP6N60M2 Виробник : STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.39 грн
10+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2 STP6N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00087510.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2 STP6N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00087510.pdf MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.