на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.84 грн |
| 10+ | 84.79 грн |
| 100+ | 55.33 грн |
| 250+ | 55 грн |
| 500+ | 53.14 грн |
| 1000+ | 53.01 грн |
| 2000+ | 52.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP6N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP6N62K3 за ціною від 30.54 грн до 30.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP6N62K3 | Виробник : ST |
 Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A STP6N62K3 TSTP6N62K3кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
STP6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||
| STP6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||
 |
STP6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 3A; 30W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMESH3™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3A Drain-source voltage: 620V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
STP6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
STP6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 3A; 30W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMESH3™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3A Drain-source voltage: 620V Kind of package: tube |
товар відсутній |